什么是安规陶瓷电容呢？有一种蓝色圆片形电容，小小的，精莹透亮，那就有安规陶瓷电容。安规陶瓷电容就是安规电容，安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。安规陶瓷电容分为Y1电容及Y2电容，即安规陶瓷电容。安规陶瓷电容用于交流，需要安规认证。安规陶瓷电容应用于各类电子产品中，守护我们使用者的安全。在进行安规陶瓷电容选型时，一定会有很多参数进行参考。例如容量；电压；误差；耐压；湿度类别等，从安规陶瓷电容规格书我们可以看到有-40℃~+85℃，-40℃~+125℃两种温度类别，会什么会有两种呢？-40℃~+85℃，-40℃~+125℃是产品的工作温度，也是与安规产品安规认证申请的温度一致。Y电容产品通过最高温125℃的一个认证，有些客户原来报备的是85℃，现在，最高温125℃是包含了85℃这一温度的。意思就是安规陶瓷电容可以在两种极端的温度下工作。不受影响。

动马达是指通过电驱动的安装在发动机上，用来启动柴、汽油发动机的马达。启动马达，减少人力启动发动机的麻烦，起动迅速，可重复使用，广泛使用。常用于，汽车发动机的启动，发电机的启动，大型工程机械的启动等。为什么马达选用陶瓷电容器呢？一、陶瓷电容器的稳定性比较好，寿命也比较长；二、起到储能缓冲的作用，在电动马达遇到大负载瞬间提供持续的电能输出，保证系统稳定性；三、马达转动时，会产生比较大的电磁干扰，这些干扰会沿着导线传输，陶瓷电容的高频特性比较好，可以减小电磁干扰甚至阻断信号沿导线传输，避免对其它系统造成干扰。电容器的用处可谓是越来越广泛了，因此大家在采购的时候要注重品质，有保障的品质决定了陶瓷电容的寿命，因此大家购买要选择品质有保障的厂家，避免出现不必要的麻烦。

热敏电阻的作用相信大家都有所了解，那么热敏电阻的材料常数的定义与意义大家都知道吗？对于材料常数来说，其所能够达到的就是可以确保使得整个电子元器件的灵敏度有所保障。一起跟小编来了解一下吧！热敏电阻的材料常数即热敏电阻器的芯片（一种半导体陶瓷）在经过高温烧结后，形成具有一定电阻率的材料，每种配方和烧结温度下只有一个B值，所以种之为材料常数。B值可以通过测量在25摄氏度和50摄氏度（或85摄氏度）时的电阻值后进行计算。B值与产品电阻温度系数正相关，也就是说B值越大，其电阻温度系数也就越大。而温度系数就是指温度每升高1度，电阻值的变化率。采用以下公式可以将B值换算成电阻温度系数：电阻温度系数＝B值/T^2（T为要换算的点温度值）。NTC热敏电阻器的B值一般在2000K－6000K之间，不能简单地说B值是越大越好还是越小越好，要看用在什么地方。一般来说，作为温度测量、温度补偿以及抑制浪涌电阻用的产品，同样条件下是B值大点好。因为随着温度的变化，B值大的产品其电阻值变化更大，也就是说更灵敏。热敏电阻是利用半导体材料电阻率灵敏地依赖于温度的特性制造的半导体器件。热敏电阻时间常数τ是描述热敏电阻热惰性的参数，它的定义是当热敏电阻的温度变化达到开始热敏电阻与周围环境温度差的百分之六十三所需的时间，各种热敏电阻的时间常数差别很大。

为了使产品的尺寸更小和谐振频率更高，MLCC制造商将面临着两方面的挑战:一方面要求瓷料的介电常数更高，超过10000，另一方面在保持高介电常数（>100）的条件下要求瓷膜更薄（<10μm）。在要求高谐振频率和低串联电阻的场合时，这类MLCC越来越多地用于耦合、旁路或滤波电路中。为了优化电性能，必须确定材料、设计和装配方法的影响。在此领域内日本取得了领先地位。村田制作所宣称他们开发了1μF的电容器，尺寸仅为3.2mmX1.6mm为传统电容器的一半。其制作方法是采用颗粒极细的钛酸钡粉末，这样，所用的介质更薄。当然，给定尺寸的电容器电容量增加，根据该公司的记载和生产是以月产五百成只起步。在用于发动机控制系统和航天探测设备的耐高温电子系统中，需要稳定的耐高温（300~600C）多层陶瓷电容器作传感器。所用材料应与高温半导体（SiC、金刚石）相容。美国宾州大学正在寻求顺电和弛豫型的I类介质瓷BaZrO3、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、PMN和PZT,高Tc铁电体La2Ti2O、Sr2Nb2O,和反铁电体Biz（Mg4/Nb2/3）O7。控制最佳组成的纯度、加工方法和缺陷，可优化材料，从而导致600C下的电阻率和击穿强度提高。随着日趋严厉的环保法规的出台，必须开发对环境无污染的低烧介质瓷料:它不产生像PbO这一类挥发物质，不需要在以溶剂为基础的粘合剂系统中加工。美国TAM陶瓷公司正在研究采用CuO基焙烧辅助料来必须开发低烧结Z5U和Y5V介质瓷料。根据所要求的介电常数（高达10000以上），瓷料含各种比值的BaCuO2:WO3或BaCuO2:MoO3。在1100C下焙烧2小时，密度可超过理论值的95%。WOz使居里温度下移，而MoO3却没有影响。对于诸如VLSIDRAM（超大规模集成电路动态随机存取存储器）元件用的电荷储存电容器和高速开关VLSI器件中控制同声噪音用的低感去耦电容器，要求介质材料漏电流低，击穿强度高和介电常数高，对于256位的DRAM,要求电荷储存密度在（20~115）pC/cm2的范围内，漏电流密度在（30~360）mA/cm2范围内，介质厚度在（0.01~0.2）μm范围内。美国Arizona州立大学的初步研究表明，用溶胶凝胶法制得的非铁电钙钛矿型PLT（含摩尔分数为28%La的钛酸铅）薄膜有希望满足这些要求。这类薄膜的厚度为0.5μm,作成1mm的电容器，在200V下介电常数为850，电荷储存密度为15.8μC/cm2,漏电流密度为0.5mA/cm2’，估计充电时间为0.1ns。

随着科技和电子产品的迅速发展示，电子产品对的作用要求也越来越高，那么陶瓷电容都有哪些作用和用途呢？很多人只知其一不知其二，下面为大家介绍一下陶瓷电容的作用。1、隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。2、滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。3、整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。4、计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。5、旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。6、调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。7、温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。8、耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路9、储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。

高压陶瓷电容就是用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容。高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位。高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。我们使用高压陶瓷电容就很多了，那么你们知道它的生产工序是怎么样的吗？下面我给大家讲讲吧。高压陶瓷电容的制作工序有：磨粉-压片-烧结-抛光-涂银、烧银-焊合电极-测试-包装。看起来一颗颗的高压陶瓷电容，实际是要经过多道工序才能行形成的。而为什么电子市场上有些高压陶瓷电容的单价低了，这个时候你需要留意到的是，是否拥有实体的工厂，生产工艺流程步骤是否减少，电容的品质是否有保障。